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伯东KRI考夫曼离子源KDC 160辅助镀制 HfO2 薄膜

伯东KRI考夫曼离子源KDC 160辅助镀制 HfO2 薄膜
传统直接蒸发 HfO2块材料, 容易产生节瘤缺陷, 吸收很大, 限制了薄膜的激光损伤阈值, 因此, 为了获取高质量的 HfO2薄膜, 某机构采
2021-02-05 10:40

[广东]

KRI射频离子源RFICP 220辅助磁控溅射镀制3D玻璃膜

KRI射频离子源RFICP 220辅助磁控溅射镀制3D玻璃膜
某国内 3D玻璃制造商采用伯东 KRI 聚焦射频离子源RFICP 220 辅助磁控溅射镀制 3D 玻璃膜, 以获取高品质 3D玻璃膜.其磁控溅射镀膜
2021-02-05 10:39

[广东]

射频离子源RFICP 380辅助离子束溅射镀制SiO_2薄膜

射频离子源RFICP 380辅助离子束溅射镀制SiO_2薄膜
二氧化硅 (SiO_2) 薄膜具有硬度高、耐磨性好、绝缘性好等优点常作为绝缘层材料在薄膜传感器生产中得到广泛应用. 某光学薄膜制造
2021-02-05 10:37

[广东]

KRI 霍尔离子源控制器成功替换取代 Veeco 控制器

KRI 霍尔离子源控制器成功替换取代 Veeco 控制器
伯东公司为 KaufmanRobinson, Inc (美国考夫曼公司) 大中国区总代理.美国考夫曼公司 KRI 霍尔离子源控制器已成功替换取代 Veeco
2021-02-05 10:34

[广东]

KRI霍尔离子源EH 4200辅助镀膜IBAD用于PC预清洁

KRI霍尔离子源EH 4200辅助镀膜IBAD用于PC预清洁
随着科学技术的发展,光学镀膜被广泛应用,例如玻璃镀膜,镜片镀膜,显微镜镜片镀膜,装饰灯罩镀膜,但镀膜制程中,比较容易出现膜层不
2021-02-04 16:30

[广东]

KRI霍尔离子源EH 3000HC用于辅助天文望远镜镜片镀膜

KRI霍尔离子源EH 3000HC用于辅助天文望远镜镜片镀膜
天文望远镜(Astronomical Telescope)是观测天体的重要工具, 可以毫不夸张地说, 没有望远镜的诞生和发展, 就没有现代天文学. 随着
2021-02-04 16:29

[广东]

伯东KRI 霍尔离子源 EH400 HC用于离子刻蚀 IBE

伯东KRI 霍尔离子源 EH400 HC用于离子刻蚀 IBE
在200mm晶圆时代, 介质、多晶以及金属刻蚀是刻蚀设备的三大块. 进入300mm时代以后, 随着铜互连的发展, 金属刻蚀逐渐萎缩, 介质刻
2021-02-04 16:28

[广东]

伯东 KRI 离子源成功应用于离子溅射镀膜 (IBSD)

伯东 KRI 离子源成功应用于离子溅射镀膜 (IBSD)
美国考夫曼公司Gridded Ion Sources (栅极离子源) 系列 RFCIP离子源 (射频电源式考夫曼离子源), KDC离子源(直流电源式考夫曼离子
2021-02-04 16:27

[广东]

伯东 KRI 离子源用于辅助 5G 技术-陶瓷手机盖板镀膜

伯东 KRI 离子源用于辅助 5G 技术-陶瓷手机盖板镀膜
随着5G技术的快速发展, 陶瓷将凭借它无信号屏蔽以及良好的机械性能成为5G时代最受关注的材料, 未来陶瓷的市场前景将非常广阔. 而
2021-02-04 16:26

[广东]

伯东 KRI 射频离子源 RFICP 应用于离子刻蚀 IBE

伯东 KRI 射频离子源 RFICP 应用于离子刻蚀 IBE
离子刻蚀是利用众所周知的阴极溅射效应对表面进行选择性的剥离加工. 由于轰击粒子小和离子刻蚀过程的计量极为精确, 因此, 用这种
2021-02-04 16:24

[广东]

KRI离子源广泛用于镀膜半导体航天等各个领域推进科技与科学

KRI离子源广泛用于镀膜半导体航天等各个领域推进科技与科学
KRI离子源作为一种新的材料加工技术,用于真空环境中以沉积薄膜,干法蚀刻纳米结构并改变表面性能. KRI离子源的应用稳步增长.随着
2021-02-04 16:23

[广东]

考夫曼射频离子源RFICP220辅助磁控溅射沉积Cu-W 膜

考夫曼射频离子源RFICP220辅助磁控溅射沉积Cu-W 膜
为了得到最佳性能的磁控溅射Cu-W薄膜,某大学新材料研究所采用KRI考夫曼射频离子源RFICP220辅助磁控溅射技术在基片上沉积Cu-W膜.K
2021-02-04 16:22

[广东]

考夫曼射频离子源RFICP220溅射制备类金刚石Ta-C涂层

考夫曼射频离子源RFICP220溅射制备类金刚石Ta-C涂层
上海某大学研究室在离子溅射制备类金刚石Ta-C涂层研究中采用伯东KRI考夫曼射频离子源RFICP220作为溅射源KRI射频离子源RFICP380技
2021-02-04 16:20

[广东]

KRI考夫曼射频离子源RFICP220溅射制备堵片传感器薄膜

KRI考夫曼射频离子源RFICP220溅射制备堵片传感器薄膜
为了使堵片传感器的灵敏度,分辨率、测量范围小、测量精度等得到提高,可实现对堵片打开信号的可靠、稳定测量,满足航天飞行器发动
2021-02-04 16:19

[广东]

KRI考夫曼射频离子源RFICP140应用AlTiN涂层研究

KRI考夫曼射频离子源RFICP140应用AlTiN涂层研究
四川某大学实验室研究靶电流,偏压、沉积时间等各试验工艺参数对两组试样AlTiN涂层力学性能的影响,旨在找出能够镀制优良性能涂层
2021-02-04 16:17

[广东]

伯东KRI考夫曼射频离子源RFICP380溅射制备VO2薄膜

伯东KRI考夫曼射频离子源RFICP380溅射制备VO2薄膜
VO2薄膜作为一种热门的功能材料,具有优秀的相变特性和电阻开关特性,在微测辐射热计、光存储器等光学器件领域具有广泛的应用前景.
2021-02-04 16:15

[广东]

KRI考夫曼射频离子源RFCIP220溅射沉积红外器件介质膜

KRI考夫曼射频离子源RFCIP220溅射沉积红外器件介质膜
某红外半导体镀膜工业厂商采用伯东KRI考夫曼射频离子源RFCIP220辅助溅射沉积红外器件介质膜,以提高镀膜厚度的均匀性.伯东KRI射频
2021-02-04 16:13

[广东]

考夫曼射频离子源RFICP380成功用于复合磁控溅射沉积装置

考夫曼射频离子源RFICP380成功用于复合磁控溅射沉积装置
某OEM系统集成商在搭建系统-复合磁控溅射沉积装置, 采用伯东KRI考夫曼射频离子源RFICP380作为溅射源.KRI射频离子源RFICP380技术
2021-02-04 16:11

[广东]

考夫曼射频离子源 RFICP220 用于溅射沉积硅片金属薄膜

考夫曼射频离子源 RFICP220 用于溅射沉积硅片金属薄膜
某微电子制造商采用伯东KRI考夫曼射频离子源RFCIP220溅射沉积硅片金属薄膜.伯东KRI射频离子源RFICP220技术参数:portant;离子源型
2021-02-04 16:09

[广东]

考夫曼射频离子源RFICP380用于铝表面溅射沉积ZrN薄膜

考夫曼射频离子源RFICP380用于铝表面溅射沉积ZrN薄膜
河北某大学研究室为了研究磁控溅射时间和氮气流量对ZrN薄膜色度的影响,采用KRI考夫曼射频离子源RFICP380辅助在铝表面溅射沉积ZrN
2021-02-04 15:45

[广东]

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